题。”
他继续说道：“当年我就是为了解决里面的漏电现象而进行了改善，引入finfet既能减少因物理现象所导致的漏电，也能增加接触面积，对继续缩小尺寸有帮助。”
胡正明见方总极其认真的听讲，笑道：“问题就在于这个20nm临界点，这个制程节点既可以延续原来的技术架构，也可以导入finfet。”
方卓点头道：“英特尔选择在这个节点附近导入finfet，台记选择不导入，三星大概也是不导入。”
这是来自厂商公布的技术路线方案，三星那边现在只谈了28nm的情况。
因为制程节点的特殊性，大家的选择类似于前后闸极方案再次出现了分岔。
“邱总呢，他判断20nm这个点在市场上的作为就像90nm那样鸡肋，梁孟淞呢，他认为这样有过渡性质的节点是可以通过导入finfet而有所突破的。”胡正明说到这里又补了一句，“当然，也是考虑到冰芯发展的特殊情况，我们的局势总是更难一些。”
方卓凝眉细思，发现还是想听听胡教授这位大专家的意见：“胡教授，如果是你，你要怎么决策？”
冰芯在技术工艺上面临特殊的选择，也正如
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