深紫外光刻加上自对准四重图案化技术的解决方案是来自英特尔对制造工艺极限的开拓，胡正明与梁孟淞在与英特尔交流合作finfet之后基本确认了可行性。(看H文小说就到 https://ᴡᴡᴡ.sʜᴜʙᴀᴏᴇʀ.ᴄᴏᴍ 无广告纯净版)
他想了想，又补充道：“考虑到英特尔对工艺节点的划分和实际的晶体管密度，我认为10nm不是duv+saqp方案的极限，7nm的可行性也很高。”
就像现在英特尔的14nm与冰芯的16nm，两者归在同一阶段，但前者的晶体管密度是每平方毫米大约3750万，后者的则是3000万，两种工艺
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