功率密度有关的设计指标，数值上等于单位面积的第一壁材料上的聚变中子源强度与中子能量的乘积。
而绝大部分的耐热材料，在面对这些极端严苛的属性挑战时，根本就达不到要求。
不过话又说回来，这个问题真要那么容易解决，也不至于留到现在了。
毕竟可控核聚变是全世界有能力搞都会搞的东西，里面的各种技术难题，材料问题肯定都讨论过无数次了。
盯着电脑显示屏上的数据，徐川沉思了一会后开口道：“我觉得，第一壁的材料选择，或许我们要改变一下思路。”
闻言，实验室中的其他人都看了过来。
赵鸿志问道：“怎么说？”
徐川思忖了一下，组织了一下语言后开口道：“每个D-T聚变都会产生一个14.1MeV的中子。由于中子不带电，无法用磁场约束，会直接轰击到第一壁材料上产生损伤。”
“14.1MeV是个很大很大的能量，要知道材料中束缚原子的都是各种化学键，其键能大约在1~10eV之间。”
“也就是说，一个14.1MeV的中子所携带的能量，足以破坏上百万个普通的化学键，这无疑会对材料造成难以恢复的损伤。
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